Pr - O - N layers: dielectrics for 4H-SiC surfaces

Seltene-Erd-Hetero-Oxide (Praseodym oxide /Oxidnitrid) werden auf 4H-SiC-Oberflächen aufgebracht and deren Grenzflächeneigenschaften optimiert f<e:1> r elektronische Anwendungen。SiC verfgt <e:1> ber mehrere intrinsische Eigenschaften, die es als Halbleitermaterial f<e:1> r HF-Elektronik, Leistungsbauelemente oder hochtemperature bauelemente (Sensoren) geeignet erscheinen lässt。Der Einsatz von Bauteilen mit SiC als Halbleiterelement wid bislange beeinträchtigt, da auf SiC aufwachsende“natrliche”Oxide keine idealen Grenzflächen bilden，是在den elektrischen Messungen zur Folge hat中发现的。Findet sich ein geeignetes Dielektrikum mit guten Grenzflächeneigenschaften, so sind Anwendungen denkbar, welche die elektronischen Eigenschaften (bandlcke 4H: 3.28eV), die hohe Sättigungsgeschwindigkeit f<e:1> r Elektronen oder die hohe Durchbruchfeldstärke ebenso ausnutzen wie die hohe chemische und mechanische Stabilität。Wir optimieren die Grenzflächeneigenschaften von 4H-SiC-Oberflächen durch in functionales hetero - oxide。desen Architektur开始在welcher der Stickstoff in geringer Konzentration zur Passivierung von Grenzflächenzuständen fungiert中使用einer Oxynitrid-Schicht （2nm）。Der Sauerstoff dient dazu, e .反应性硅氧烷相duch die wehselwirkung de deschlie ßend aufgebrachten prasodymoxid zu bilden。异质氧化物的本征特性分析（dielektrischen Eigenschaften）e -光谱分析方法zur zerstörungsfreien Grenzflächenanalyse wendingesetzt um den Verlauf der atomaren Zusammensetzung im Bereich der hetero异质Grenzflächen (3nm) zendingesetzt和reduzierbar einzustellen。本文采用数值模拟方法，分析了波动模型的非线性变化规律。这是一种新的研究方法，它可以帮助人们更好地利用科学技术。[3][1]电子特征分析与分析。

Seltene-Erd-Hetero-Oxide (Praseodym Oxid/Oxidnitrid) werden auf 4H-SiC-Oberflächen aufgebracht und deren Grenzflächeneigenschaften optimiert für elektronische Anwendungen. SiC verfügt über mehrere intrinsische Eigenschaften, die es als Halbleitermaterial für HF-Elektronik, Leistungsbauelemente oder Hochtemperaturbauelemente (Sensoren) geeignet erscheinen lässt. Der Einsatz von Bauteilen mit SiC als Halbleiterelement wird bislange beeinträchtigt, da auf SiC aufwachsende "natürliche" Oxide keine idealen Grenzflächen bilden, was eine hohe Dichte von Grenzflächenzuständen in den elektrischen Messungen zur Folge hat. Findet sich ein geeignetes Dielektrikum mit guten Grenzflächeneigenschaften, so sind Anwendungen denkbar, welche die elektronischen Eigenschaften (Bandlücke 4H : 3.28eV), die hohe Sättigungsgeschwindigkeit für Elektronen oder die hohe Durchbruchfeldstärke ebenso ausnutzen wie die hohe chemische und mechanische Stabilität. Wir optimieren die Grenzflächeneigenschaften von 4H-SiC-Oberflächen durch ein funktionales Hetero-Oxid. Dessen Architektur beginnt mit einer Oxynitrid-Schicht (2nm) in welcher der Stickstoff in geringer Konzentration zur Passivierung von Grenzflächenzuständen fungiert. Der Sauerstoff dient dazu, eine reaktive Silikatphase durch die Wechselwirkung mit dem anschließend aufgebrachten Praseodymoxid zu bilden. Die dielektrischen Eigenschaften des Hetero-Oxides werden im wesentlichen bestimmt durch die DK des Seltenen-Erd-Oxides. Eine spektroskopische Methode zur zerstörungsfreien Grenzflächenanalyse wird eingesetzt um den Verlauf der atomaren Zusammensetzung im Bereich der heterogenen Grenzflächen ( 3nm) zu bestimmen und reproduzierbar einzustellen. Diese Methode benutzt die variable Anregungsenergie eines Undulatorstrahlrohres bei BESSY. Sie kann im Rahmen des SPP auch anderen Arbeitsgruppen zur Verfügung gestellt werden. Die elektrischen Eigenschaften werden im Rahmen des Projektes ausschließlich an MOSiC-Dioden überprüft.