Organische Feldeffekt-Transistoren für spinpolarisierten Transport

Das Ziel des Beantragten Projekts ist die Herstellung and Analyst Organizoren Feldeffekt晶体管oren(OFETs)für Spinpolarisierten Transport.自旋电子技术的层次结构--Konzept，das in a Organistchen Halbletersystem en bereit sehr Intensiv verfolgt wird，auf Organche Materialsystem eübertragen den。交通运输组织：这是一种极端的自旋松弛，两种极端的自旋松弛在300K，更多的是极端的元素自旋--巴恩-科普隆和其他极端的自旋自旋。Ladungsträger中铁磁体材料的自旋极化和Drainkontakt erzielt被发现。耶尔祖与MIT的合作伙伴--Al_2O_3隧道公司的成员。在DH4T的帮助下，Kanal wird von einem？-konjugierten Organchen en Halbleiter gebildet.在Ausnutzung der be den Antragstellern vvhandenen Breiten Erfahrungen sowohl bzgl下。Der Herstellung von Mikro-und Nano-OFETs als auchbzgl.在Halbleitern Sollen Die Strukturellen，Electrktronischen and Magtischen Eigenschaften der Grizfläche zwichen der Granzfläche zwitchen der DEM铁磁性材料的自旋注入下，分析了诸如自旋极化的传输过程。

Das Ziel des beantragten Projekts ist die Herstellung und Analyse organischer Feldeffekttransistoren (OFETS) für spinpolarisierten Transport. Hiermit soll das Spintronics-Konzept, das in anorganischen Halbleitersystemen bereits sehr intensiv verfolgt wird, auf organische Materialsysteme übertragen werden. Organische Halbleiter bieten für den Transport spinpolarisierter Ladungsträger einen entscheidenden Vorteil: Sie besitzen extrem lange Spin-Relaxationszeiten, bis zu 1 ¿s bei 300K, weil aufgrund der extrem leichten Elemente die Spin-Bahn-Kopplung und die Hyperfeinwechselwirkung vernachlässigbar klein sind. Die Spinpolarisation der Ladungsträger in den OFETs soll durch den Einsatz ferromagnetischer Materialien als Source- und Drainkontakt erzielt werden. Hierzu werden Co-Kontakte verwendet mit einer Al2O3 Tunnelbarriere zur Impedanzanpassung. Der aktive Kanal wird von einem ¿ -konjugierten organischen Halbleiter gebildet, in unserem Fall Dihexylquaterthiophen (DH4T). Unter Ausnutzung der bei den Antragstellern vorhandenen breiten Erfahrungen sowohl bzgl. der Herstellung von Mikro- und Nano-OFETs als auch bzgl. der Spininjektion in Halbleitern sollen die strukturellen, elektronischen und magnetischen Eigenschaften der Grenzfläche zwischen der Organikschicht und dem ferromagnetischen Kontaktmaterial, sowie auch das spinpolarisierte Transportverhalten der OFETs analysiert werden.