Defektdichten und Injektionsbarrieren in organischen Feldeffekt-Transistoren (OFETs): Vergleich von Röntgenbeugung und 4-Punkt Messungen (Transistor und Hallgeometrie)

在固体（纳米）结构的虚拟工程中，晶体管结构是韦尔登的核心。Mittels Röntgenstrukturanalysis韦尔登strukturelle Defektellen und Details der molekularen Anordnung quantiziert，and mit den elektronischen Transporteigenschaften（Mobilität，Photostrom）correliert. Vier-Punkt Messungen（Hall- und Transistor-Geometrie）sollen durchgeführt韦尔登，um Kontaktwiederstand und Ladungsträgersten separat zu bestimmen. Als aktive Schicht soll Pentacene，Coronene und Tetrachlorperylendianidianden zum Einescommen（als Vertreter für stäbchenförmige，scheibenartige，und nicht-planare Pi-Systeme）. AlsGatematerials韦尔登Siliziumoxid auf hochdotiertem Si and optischerente Polymere（COC bzw. Topas）zum Einspirkommen.接触是（硫代）接触。该项目是纳米科学中心（CeNS）的一个合作项目，由Bert Nickel（Streumethoden，Wachstum organischer Filme）和Udo Beierlein（Nanolithographie，elektrische Transportmessungen an Nanoskeligen Systemen）组成。

Im Rahmen des vorgeschlagenen Projektes sollen (nano-)strukturierte, kristalline Dünnschicht-Transistorstrukturen hergestellt werden. Mittels Röntgenstrukturanalyse werden strukturelle Defektdichten und Details der molekularen Anordnung quantiziert, und mit den elektronischen Transporteigenschaften (Mobilität, Photostrom) korreliert. Vier-Punkt Messungen (Hall- und Transistor-Geometrie) sollen durchgeführt werden, um Kontaktwiederstand und Ladungsträgerdichten separat zu bestimmen. Als aktive Schicht soll Pentacene, Coronene und Tetrachlorperylendianhydrid zum Einsatz kommen (als Vertreter für stäbchenförmige, scheibenartige, und nicht-planare Pi-Systeme). Als Gatematerial werden Siliziumoxid auf hochdotiertem Si und optischtransparente Polymere (COC bzw. Topas) zum Einsatz kommen. Kontaktiert wird mittels (thiolisierten) Au-Kontakten. Das Projekt ist eine Kooperation innerhalb des Center for NanoSciences (CeNS) der Arbeitsgruppen von Bert Nickel (Streumethoden, Wachstum organischer Filme) und Udo Beierlein (Nanolithographie, elektrische Transportmessungen an nanoskaligen Systemen).