Defektdichten und Injektionsbarrieren in organischen Feldeffekt-Transistoren (OFETs): Vergleich von Röntgenbeugung und 4-Punkt Messungen (Transistor und Hallgeometrie)

[3]纳米结构，晶体结构，晶体结构，晶体管结构，晶体结构。mittelels Röntgenstrukturanalyse werden strukturelle defktdichten and Details der molecularen Anordnung quantiziert, und mit den elektronischen Transporteigenschaften (Mobilität, Photostrom) korreliert。Vier-Punkt Messungen (Hall- and Transistor-Geometrie) sollen durchgef<s:1> hrt werden, um kontaktwiederund Ladungsträgerdichten separat zu bestimmen。五苯，冠烯和四氯苝二氢化物的合成（Als Vertreter f<s:1> r stäbchenförmige, scheibenartige，和nicht-planare pi - system）。硅基透明聚合物（COC - bzw）复合材料。特别行动队成员。Kontaktiert风力发电机（硫离子）au - kontaken。该项目是由纳米科学中心（CeNS）与bertgruppen von bertnickel （Streumethoden, Wachstum organischer Filme）和Udo Beierlein（纳米光刻，电子传输和纳米化系统）合作完成的。

Im Rahmen des vorgeschlagenen Projektes sollen (nano-)strukturierte, kristalline Dünnschicht-Transistorstrukturen hergestellt werden. Mittels Röntgenstrukturanalyse werden strukturelle Defektdichten und Details der molekularen Anordnung quantiziert, und mit den elektronischen Transporteigenschaften (Mobilität, Photostrom) korreliert. Vier-Punkt Messungen (Hall- und Transistor-Geometrie) sollen durchgeführt werden, um Kontaktwiederstand und Ladungsträgerdichten separat zu bestimmen. Als aktive Schicht soll Pentacene, Coronene und Tetrachlorperylendianhydrid zum Einsatz kommen (als Vertreter für stäbchenförmige, scheibenartige, und nicht-planare Pi-Systeme). Als Gatematerial werden Siliziumoxid auf hochdotiertem Si und optischtransparente Polymere (COC bzw. Topas) zum Einsatz kommen. Kontaktiert wird mittels (thiolisierten) Au-Kontakten. Das Projekt ist eine Kooperation innerhalb des Center for NanoSciences (CeNS) der Arbeitsgruppen von Bert Nickel (Streumethoden, Wachstum organischer Filme) und Udo Beierlein (Nanolithographie, elektrische Transportmessungen an nanoskaligen Systemen).