Methoden der Selbstreparatur für Logik-Baugruppen und Verbindungsstrukturen in Nano-Technologien (SELNA)

死Entwicklung der Halbeiter-Technologie绝不seit 1970票静脉exponentiellen Wachstumskurve vollzogen,死als“摩尔定律”beruhmt geworden坚持。麻省理工学院的Reduzierung研究中心Strukturgrößen研究中心的Abmessungen von weniger和100纳米研究中心的新研究中心的研究中心。问题，potenzielle Lösungen和der potenzielle Stand der Entwicklung在der jährlich aktualisierten“ITRS -路线图”der Halbleiter-Industrie beschrieben。Dazu gehören auf der einen Seite问题der lithography， da die minimalen Strukturgrößen inzwischen kleiner als die Wellenlänge des zur Abbildung der Masken auf die Wafer verwenddeten uv - licens list。[2] [2] [2] [3] [2] [3] [3] [3] [3] [3] [3]Zur nachträglichen在诊断诊断方面的优化研究<s:2>在诊断诊断方面的研究<s:2>在诊断诊断方面的研究benötigt，在诊断诊断方面的研究与研究方面的研究。《统计问题》是一篇关于统计问题的文章。【参考例句】原子动力学动力学（Kanalbereich），原子动力学（noch），原子动力学（geringe Zahl von Atomen），原子动力学（Schwankungen），原子动力学（Schwankungen kritischer）。[1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1]嗯trotzdem还有祖茂堂wettbewerbsfahigen Ausbeuten der Fertigung祖茂堂来,将es notwendig,不funktionierende Bauelemente奥得河Baugruppen bereits贝姆Fertigungstest祖茂堂法登和军队冗余vorhandene Ressourcen祖茂堂ersetzen。技术解决方案：技术解决方案：技术解决方案。我们的过敏原见ITRS-Roadmap，详见spätestens ab 2012，详见<s:1> r Logik benötigt。Eine passende technology zur eingebauten Selbstreparatur（内置自我修复- bisr）在其2012年的bedingt上，danach （f<s:1> r höhere Fehlerdichten）在其2012年的verf<s:1> gung上取得了成功。她在西部的销售情况比在西部的销售情况更糟糕。纳米电子学- schaltungen sind darber hinaus sowohl anfällig gegenen Fehlereffekten z. B. durch放射性Strahlung (ohne bleibende Defekte) als auch gegen<e:2> ber Spätausfällen einzelner Bauelemente and verindungsstruckturen durch应力- effekte。Wir gehen deshalb davon aus, dass die ohnehin benötigte Redundanz zum Ausgleich von fertigunsfehlern auch dazu dienen soll, im Anwendungsfeld ausfallende Bauelemente zu ersetzen。《科学技术与发展》（ei），《科学技术与发展》（ei），《科学技术与发展》（ei），《科学技术与发展》（Ansätzen），《科学技术与发展》（regulär），《科学技术与发展》（ei），《科学技术与发展》（irreguläre），《科学技术与发展》（ei）。每个人都有自己的特点，也都有自己的优点，也都有自己的优点，也都有自己的优点，也都有自己的优点，也都有自己的优点。这两家公司分别是：vorhanben konzentriert（信息技术）- naproblem（问题）- Lösungen和behandelt（信息技术）- Aspekte（技术）。

Die Entwicklung der Halbeiter-Technologie hat sich seit 1970 nach einer exponentiellen Wachstumskurve vollzogen, die als „Moores’ Law“ berühmt geworden ist. Mit der Reduzierung der Strukturgrößen auf Abmessungen von weniger als 100 nm treten jedoch neue Grenzen der Entwicklung auf. Probleme, potenzielle Lösungen und der potenzielle Stand der Entwicklung sind in der jährlich aktualisierten „ITRS - Road Map“ der Halbleiter-Industrie beschrieben. Dazu gehören auf der einen Seite Probleme der Lithographie, da die minimalen Strukturgrößen inzwischen kleiner als die Wellenlänge des zur Abbildung der Masken auf die Wafer verwendeten UV-Lichtes ist. Dieses Problem scheint durch die Kombination von Vorabkorrekturen der Masken-Strukturen zur Berücksichtung der Abbildungsfehler behebbar. Zur nachträglichen Optimierung der Ausbeuten werden diagnostischen Testverfahren für den Fertigungstest benötigt, die derzeit mit Hochdruck entwickelt werden und z. T. schon im Einsatz sind. Der zweite Problembereich ergibt sich aus statistischen Schwankungen der Eigenschaften von Bauelementen wie Transistoren. Diese enthalten im Kanalbereich nur noch eine so geringe Zahl von Atomen, dass unvermeidbare Schwankungen der Verteilung von Dotieratomen zu Schwankungen kritischer Bauelement-Parameter wie der Schwellenspannungen von MOS- Transistoren führen. Damit wird sich für Nanoelektronik-Schaltungen ein Anteil von Transistoren ergeben, die außerhalb der zulässigen elektrischen Spezifikation liegen. Um trotzdem noch zu wettbewerbsfähigen Ausbeuten der Fertigung zu kommen, wird es notwendig, nicht funktionierende Bauelemente oder Baugruppen bereits beim Fertigungstest zu finden und durch redundant vorhandene Ressourcen zu ersetzen. Solche Techniken werden bei Speicher-Bausteinen bereits mit Erfolg eingesetzt. Sie werden allerdings nach der ITRS-Roadmap auch spätestens ab 2012 auch für Logik benötigt. Eine passende Technologie zur eingebauten Selbstreparatur (Built-in Self Repair-BISR) steht bis 2012 bedingt, danach (für höhere Fehlerdichten) noch gar nicht zur Verfügung. Sie soll hier in wesentlichen Teilen entwickelt werden. Nanoelektronik-Schaltungen sind darüber hinaus sowohl anfällig gegenüber transienten Fehlereffekten z. B. durch radioaktive Strahlung (ohne bleibende Defekte) als auch gegenüber Spätausfällen einzelner Bauelemente und Verbindungsstrukturen durch Stress-Effekte. Wir gehen deshalb davon aus, dass die ohnehin benötigte Redundanz zum Ausgleich von Fertigungsfehlern auch dazu dienen soll, im Anwendungsfeld ausfallende Bauelemente zu ersetzen.Eine Technologie der „eingebetteten“ Selbstreparatur ist für Speicher und, in Ansätzen, für regulär aufgebaute Logik vorhanden, nicht jedoch für irreguläre Strukturen und für Verbindungsnetze. Nach ersten eigenen Vorarbeiten und maßgeblichen Experten-Urteilen besteht hier der Bedarf an neuen Schaltungsarchitekturen einerseits und an neuen Algorithmen andererseits, um zu wirtschaftlich sinnvollen Lösungen zu kommen. Das hier beantragte Vorhaben konzentriert sich auf Informatik- nahe Probleme und Lösungen und behandelt keine eigentlichen Aspekte der Halbleiter-Technologie.