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Single Event Effects in Resistive Random Access Memory Using Amorphous SiC

Single Event Effects in Resistive Random Access Memory Using Amorphous SiC
使用非晶 SiC 的电阻随机存取存储器中的单粒子效应
批准号：
2388128
负责人：
金额：
$0.0万
依托单位：
University of Southampton
依托单位国家：
英国
项目类别：
Studentship
财政年份：
2017
资助国家：
英国
项目状态：
已结题
起止时间：
2017 至 --
来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=studentship-2388128
关键词：
SingleEventEffectsResistiveRandom

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
电阻式随机存取存储器（ReRAM）是一种在单元两端施加特定偏压时同时呈现低阻态和高阻态的结构。在这份报告中，重点介绍了碳化硅基电池的使用，由于其高电阻率和广泛使用的后端线制造。
英文摘要
Resistive random access memory (ReRAM) are structures that exhibit both a low resis-tance and high resistance states when a specic voltage bias is placed across the cell. Inthis report a focus on the use of silicon carbide based cells has been conducted, due toits high resistive ratio and wide use in the back end of the line fabrication.
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甲醇合成汽油工艺中烯烃催化聚合过程的单元步骤(single event)微动力学理论研究
  • 批准号：
    21306143
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    25.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    金放
  • 依托单位：
    武汉工程大学