准一维半导体异质结和超晶格物性研究
批准号:
10574122
项目类别:
面上项目
资助金额:
35.0 万元
负责人:
王冠中
依托单位:
学科分类:
凝聚态物质电子结构
结题年份:
2008
批准年份:
2005
项目状态:
已结题
项目参与者:
韩新海、陈伊鸣、李大鹏、洪勋、祝巍、谢兴、陈广顺
中文摘要
以氧化物半导体材料和GaN为主要研究对象,采用化学气相法制备半导体纳米线异质结,制备和自组装制备准一维半导体超晶格。在化学气相淀积、金属纳米颗粒催化的化学气相淀积和激光辅助的化学气相淀积制备ZnO/In2O3、ZnO/ZnS和GaN/ZnO等异质结结构,以及制备GaN/GaxMg1-xN、ZnO/ZnxMg1-x O等纳米线超晶格线过程中,通过控制反应气氛中的成分、浓度和不同成分分压比,改变催化金属纳米颗粒尺寸等方法,可控制备半导体纳米线异质结和超晶格。采用直接蒸发气相输运方法,自组装生长ZnO/In2O3、ZnO/Ga2O3等纳米线超晶格。研究低温外场下准一维半导体异质结和超晶格载流子输运性质。采用激发光谱、发射光谱、时间分辨光谱和配置于SEM中的阴极射线荧光光谱技术,研究准一维半导体异质结和超晶格所涉及的载流子激发、弛豫和复合性质。
英文摘要
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Optical and structural properties of Diamond/GaN films
金刚石/氮化镓薄膜的光学和结构特性
DOI:
10.1016/j.diamond.2006.09.027
发表时间:
2007-03
期刊:
Diamond and Related Materials
影响因子:
4.1
作者:
[]
通讯作者:
Au-catalyst growth and photoluminescence of zinc-blende and wurtzite ZnS nanobelts via chemical vapor deposition
通过化学气相沉积法实现闪锌矿和纤锌矿 ZnS 纳米带的金催化剂生长和光致发光
DOI:
10.1016/j.jlumin.2006.01.074
发表时间:
2007
期刊:
Journal of Luminescence
影响因子:
3.6
作者:
[]
通讯作者:
Structure and properties of ZnO films grown on Si substrates with low temperature buffer layers
具有低温缓冲层的Si衬底上生长的ZnO薄膜的结构和性能
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Synthesis and Characterization of In-Doped ZnO Planar Superlattice Nanoribbons
掺杂ZnO平面超晶格纳米带的合成与表征
DOI:
10.1021/jp810158u
发表时间:
2009-03
期刊:
Journal of Physical Chemistry C
影响因子:
3.7
作者:
[Lee, ST, Jie, JS, Li, DP, Wang, GZ, Han, XH]
通讯作者:
Han, XH
One-Step Fabrication of Ni/TiO2 Core/Shell Nanorod Arrays in Anodic Aluminium Oxide Membranes
阳极氧化铝膜中 Ni/TiO2 核/壳纳米棒阵列的一步制备
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 13 条
NV中心荧光共振能量转移研究
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批准号:11374280
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项目类别:面上项目
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资助金额:89.0万元
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批准年份:2013
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负责人:王冠中
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依托单位:
石墨单层、双层和多层膜的制备及性能研究
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批准号:50772110
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项目类别:面上项目
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资助金额:32.0万元
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批准年份:2007
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负责人:王冠中
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依托单位:
低电压高迁移率有机半导体薄膜器件制备和性能研究
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批准号:60376008
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项目类别:面上项目
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资助金额:26.0万元
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批准年份:2003
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负责人:王冠中
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依托单位:
特种功能薄膜CVD制备过程热物理研究和新工艺探索
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批准号:59976038
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项目类别:面上项目
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资助金额:14.0万元
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批准年份:1999
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负责人:王冠中
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依托单位:
内耗方法研究金刚石薄膜杂质、缺陷和晶界状态
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批准号:19204011
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:3.0万元
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批准年份:1992
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负责人:王冠中
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依托单位:
国内基金
海外基金