CMOS Open Fault Detection by Appearance Time of Switching Supply Current
CMOS Open Fault Detection by Appearance Time of Switching Supply Current
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通过开关电源电流出现时间检测 CMOS 开路故障
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M.Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Higami;S.Kajihara;S.Kobayeshi;Y.Takamatsu;M.Hashizume
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动态 Idd 测试的统计阈值公式
DOI：
10.1109/tcad.2002.1004313
发表时间：
2002
期刊：
IEEE Trans. Comput. Aided Des. Integr. Circuits Syst.
影响因子：
--
作者：
Wanli Jiang;B. Vinnakota
通讯作者：
B. Vinnakota
CMOS IC 中浮栅缺陷的电气模型：对 IDDQ 测试的影响
DOI：
10.1109/43.265677
发表时间：
1994
期刊：
IEEE Trans. Comput. Aided Des. Integr. Circuits Syst.
影响因子：
--
作者：
V. Champac;A. Rubio;J. Figueras
通讯作者：
J. Figueras
CMOS IC缺陷的电学特性及检测方法
DOI：
10.1109/etc.1989.36238
发表时间：
1989
期刊：
[1989] Proceedings of the 1st European Test Conference
影响因子：
--
作者：
J. Soden;C. Hawkins
通讯作者：
C. Hawkins
基于电流（电荷）积分的瞬态电流测试
DOI：
10.1109/iddq.1998.730728
发表时间：
1998
期刊：
Proceedings 1998 IEEE International Workshop on IDDQ Testing (Cat. No.98EX232)
影响因子：
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作者：
I. de Paul;R. Picos;J. Rosselló;M. Roca;E. Isern;J. Segura;C. Hawkins
通讯作者：
C. Hawkins
CMOS 电路中浮栅缺陷的测试
DOI：
10.1109/ats.1998.741618
发表时间：
1998
期刊：
Proceedings Seventh Asian Test Symposium (ATS'98) (Cat. No.98TB100259)
影响因子：
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作者：
S. Rafiq;A. Ivanov;S. Tabatabaei;M. Renovell
通讯作者：
M. Renovell