Threshold and Characteristic LETs in SRAM SEU Cross Section Curves
Threshold and Characteristic LETs in SRAM SEU Cross Section Curves
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SRAM SEU 横截面曲线中的阈值和特性 LET
DOI：
10.1109/tns.2023.3244181
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发表时间：
2023
影响因子：
1.8
通讯作者：
Kazuyuki Hirose
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Daisuke Kobayashi;Masashi Uematsu;Kazuyuki Hirose
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16 nm FinFET 技术节点的多单元软错误
DOI：
10.1109/irps.2015.7112730
发表时间：
2015
期刊：
2015 IEEE International Reliability Physics Symposium
影响因子：
--
作者：
N. Tam;B. Bhuva;L. Massengill;D. Ball;M. Mccurdy;M. Alles;I. Chatterjee
通讯作者：
I. Chatterjee
硅中 /spl α/-粒子诱导电子空穴对产生的时空结构的理论测定
影响因子：
1.8
作者：
P. Oldiges;R. Dennard;D. Heidel;B. Klaasen;F. Assaderaghi;M. Ieong
通讯作者：
M. Ieong
影响因子：
1.8
作者：
Dodd, PE;Sexton, FW
通讯作者：
Sexton, FW
FinFET SEU 横截面在电源电压范围内的经验建模
影响因子：
1.8
作者：
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通讯作者：
L. Massengill
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DOI：
10.1109/vlsit.2008.4588604
发表时间：
2008
期刊：
2008 Symposium on VLSI Technology
影响因子：
--
作者：
Y. Morita;R. Tsuchiya;T. Ishigaki;N. Sugii;T. Iwamatsu;T. Ipposhi;H. Oda;Y. Inoue;K. Torii;S. Kimura
通讯作者：
S. Kimura