Effect of Quadruple Size Transistor on SRAM Physically Unclonable Function Stabilized by Hot Carrier Injection
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四倍尺寸晶体管对热载流子注入稳定的 SRAM 物理不可克隆功能的影响
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Hirofumi Shinohara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shufan Xu;Kunyang Liu;Yichen Tang;Ruilin Zhang;and Hirofumi Shinohara
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SRAM PUF误码率分析及降低
DOI：
10.1109/vlsi-dat.2017.7939688
发表时间：
2017
期刊：
2017 International Symposium on VLSI Design, Automation and Test (VLSI-DAT)
影响因子：
--
作者：
H. Shinohara;B. Zheng;Yanhao Piao;Bo Liu;Shiyu Liu
通讯作者：
Shiyu Liu
热载流子注入老化后 SRAM PUF 单元失配位移分布的统计建模
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
Kunyang Liu;Kiyoshi Takeuchi;and Hirofumi Shinohara
通讯作者：
and Hirofumi Shinohara
影响因子：
5.4
作者：
Liu, Kunyang;Chen, Xinpeng;Shinohara, Hirofumi
通讯作者：
Shinohara, Hirofumi
PVT 容忍零误码率物理不可克隆功能利用 7nm FinFET 技术中的热载流子注入老化
DOI：
10.1109/cicc53496.2022.9772856
发表时间：
2022
期刊：
2022 IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC)
影响因子：
--
作者：
J. Velamala;Siang;P. Penmatsa;K. Shen;D. Johnston;R. Parker
通讯作者：
R. Parker
使用小偏置电压测量 SRAM PUF 的失配系数和噪声
DOI：
10.1109/icmts.2017.7954264
发表时间：
2017
期刊：
2017 International Conference of Microelectronic Test Structures (ICMTS)
影响因子：
--
作者：
Ziyang Cui;B. Zheng;Yanhao Piao;Shiyu Liu;Ronghao Xie;H. Shinohara
通讯作者：
H. Shinohara