Statistical Modeling of SRAM PUF Cell Mismatch Shift Distribution After Hot Carrier Injection Burn-In
Statistical Modeling of SRAM PUF Cell Mismatch Shift Distribution After Hot Carrier Injection Burn-In
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热载流子注入老化后 SRAM PUF 单元失配位移分布的统计建模
DOI:
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发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
and Hirofumi Shinohara
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
Kunyang Liu;Kiyoshi Takeuchi;and Hirofumi Shinohara
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影响因子:
4
作者:
K. Takeuchi
通讯作者:
K. Takeuchi
DOI:
10.1109/vlsi-dat.2017.7939688
发表时间:
2017
期刊:
2017 International Symposium on VLSI Design, Automation and Test (VLSI-DAT)
影响因子:
--
作者:
H. Shinohara;B. Zheng;Yanhao Piao;Bo Liu;Shiyu Liu
通讯作者:
Shiyu Liu
影响因子:
5.4
作者:
Liu, Kunyang;Chen, Xinpeng;Shinohara, Hirofumi
通讯作者:
Shinohara, Hirofumi
DOI:
10.1109/icmts.2017.7954264
发表时间:
2017
期刊:
2017 International Conference of Microelectronic Test Structures (ICMTS)
影响因子:
--
作者:
Ziyang Cui;B. Zheng;Yanhao Piao;Shiyu Liu;Ronghao Xie;H. Shinohara
通讯作者:
H. Shinohara
影响因子:
3.1
作者:
C. Monzio Compagnoni;R. Gusmeroli;A. Spinelli;A. Lacaita;M. Bonanomi;A. Visconti
通讯作者:
A. Visconti