Highly selective low-damage processes using advanced neutral beams for porous low-k films
Highly selective low-damage processes using advanced neutral beams for porous low-k films
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使用先进的中性束进行多孔低 k 薄膜的高选择性低损伤工艺
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
大竹浩人
中科院分区：
文献类型：
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作者：
遠藤和彦;寒川誠二;Kazuhiko Endo;Seiji Samukawa;寒川 誠二;寒川 誠二;大竹浩人
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脉冲时间调制氮束形成的超薄氮氧化物薄膜中氮深度分布的控制
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology A22・2
影响因子：
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作者：
遠藤和彦;寒川誠二;Kazuhiko Endo;Seiji Samukawa;寒川 誠二;寒川 誠二;大竹浩人;久保田智広;石川健治;野田周一;Hiroto Ohtake;Tomohiro Kubota;Kenji Ishikawa;Shuichi Noda;寒川 誠二;寒川 誠二;寒川誠二;寒川誠二;寒川誠二
通讯作者：
寒川誠二
使用中性束蚀刻系统进行 50 nm 栅电极图案化
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology A22・4
影响因子：
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作者：
遠藤和彦;寒川誠二;Kazuhiko Endo;Seiji Samukawa;寒川 誠二;寒川 誠二;大竹浩人;久保田智広;石川健治;野田周一;Hiroto Ohtake;Tomohiro Kubota;Kenji Ishikawa;Shuichi Noda;寒川 誠二;寒川 誠二;寒川誠二;寒川誠二;寒川誠二;久保田智広;野田周一
通讯作者：
野田周一
影响因子：
2.9
作者：
Samukawa, S;Sakamoto, K;Ichiki, K
通讯作者：
Ichiki, K
氧基化学中低 k 介电聚合物的高密度等离子体蚀刻
影响因子：
1.4
作者：
D. Fuard;O. Joubert;L. Vallier;M. Bonvalot
通讯作者：
M. Bonvalot
使用脉冲时间调制氮气束形成超薄氮氧化物薄膜
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 42・7B
影响因子：
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作者：
遠藤和彦;寒川誠二;Kazuhiko Endo;Seiji Samukawa;寒川 誠二;寒川 誠二;大竹浩人;久保田智広;石川健治;野田周一;Hiroto Ohtake;Tomohiro Kubota;Kenji Ishikawa;Shuichi Noda;寒川 誠二;寒川 誠二;寒川誠二;寒川誠二;寒川誠二;久保田智広;野田周一;寒川誠二;Seiji Samukawa;Tomohiro Kubota;Shuichi Noda;Seiji Samukawa;寒川誠二;寒川誠二;寒川誠二;寒川誠二
通讯作者：
寒川誠二