Dependence of annealing on stability of transparent amorphous InGaZnO thin film transistor
Dependence of annealing on stability of transparent amorphous InGaZnO thin film transistor
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退火对透明非晶InGaZnO薄膜晶体管稳定性的依赖性
DOI：
10.1016/j.mssp.2013.02.013
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发表时间：
2013-10
影响因子：
4.1
通讯作者：
Zhang, Jianhua
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li, Xifeng;Xin, Enlong;Chen, Longlong;Shi, Jifeng;Li, Chunya;Zhang, Jianhua
在相对较低的温度（200℃）下成功制备了底栅透明IGZO-TFT。该器件在200℃下退火4h，具有良好的电学性能，饱和迁移率为8.2cm2V−1s−1，亚阈值摆幅为1.0V/dec，通断电流比为5×106。结果表明，后退火处理可以显著提高TFT器件的稳定性。施加20V的正栅极偏置应力5000s后，器件退火1h，显示出较大的正电压偏移4.7V。然而，器件退火4h后显示出更小的Vthshift，为0.04V，并且更加稳定。
Bottom-gate transparent IGZO–TFT had been successfully fabricated at relatively low temperature (200°C). The devices annealing for 4h at 200°C exhibit good electrical properties with saturation mobility of 8.2cm2V−1s−1, subthreshold swing of 1.0V/dec and on/off current ratio of 5×106. The results revealed that the stability of TFT devices can be improved remarkably by post-annealing treatment. After applying positive gate bias stress of 20V for 5000s, the device annealing for 1h shows a larger positive Vthshift of 4.7V. However, the device annealing for 4h exhibits a much smaller Vthshift of 0.04V and more stable.
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