Photoluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells containing a gradually changing amount of indium in each InGaN well layer along the growth direction
Photoluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells containing a gradually changing amount of indium in each InGaN well layer along the growth direction
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InGaN/GaN多量子阱的光致发光特性，每个InGaN阱层中的铟含量沿生长方向逐渐变化
DOI：
10.1016/j.jlumin.2020.117225
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发表时间：
2020-07
影响因子：
3.6
通讯作者：
Ji Ziwu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shi Kaiju;Li Hongbin;Xu Mingsheng;Li Changfu;Wei Yehui;Xu Xiangang;Ji Ziwu
研究了两种不同结构的InGaN/GaN多量子威尔斯阱（MQW）在不同激发功率下的光致发光（PL）谱的温度特性。结果表明，与In含量逐渐增加的多量子阱相比，In含量逐渐减少的多量子阱具有更低的峰值能量、更强的相分离、更强的载流子局域效应和更强的量子限制斯塔克效应（QCSE）.这些特性归因于这样的事实，即，与前者相比，后者在每个InGaN阱的层中具有较高的平均In含量，这是由于掺入其中的In的挥发不太显著。
Temperature dependences of photoluminescence (PL) spectra of two different InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) were studied at different excitation powers. The results show that, compared with MQWs with a gradually increased In content, the MQWs with a gradually decreased In content showed a lower peak energy, stronger phase separation, more robust carrier localization effect, and a stronger quantum-confined Stark effect (QCSE). These characteristics are attributed to a fact that, compared with the former, the latter has a higher average In content in the layer of each InGaN well, due to the less significant volatilization of In incorporated therein.
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