Study on Carrier transportation in InGaN based green LEDs with V-pits structure in the active region
Study on Carrier transportation in InGaN based green LEDs with V-pits structure in the active region
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有源区V坑结构InGaN基绿色LED载流子传输研究
DOI：
10.1016/j.optmat.2018.09.017
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发表时间：
2018-12
影响因子：
3.9
通讯作者：
Jiang Fengyi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Jianli;Wang Xiaolan;Liu Junlin;Mo Chunlan;Wu Xiaoming;Wang Guangxu;Jiang Fengyi
在 Si 衬底上生长了具有 V 坑结构的 InGaN 基 LED，由 n-GaN、In0.1Ga0.9N/GaN 超晶格 (SL)、In0.15Ga0.85N 蓝色量子阱 (BQW)、In0.25Ga0.75N 绿色量子阱 (GQW) 和 p-GaN 组成。通过温度依赖性电致发光 (TDEL) 研究载流子传输。在 SL 和 BQW 中进行 n 掺杂后，主要发射峰来自 GQW。在低温和高注入电流下，可以观察到 SL 和 BQW 发出的侧峰。减少 GQW 的数量将导致更强的侧峰。我们认为载流子浓度的不平衡给空穴带来了较高的漂移速度，部分空穴穿过V坑的侧壁飞向n侧并与BQW和SL中的电子复合。
InGaN based LEDs with V-pits structure and consists of n-GaN, In0.1Ga0.9N/GaN superlattices (SLs), In0.15Ga0.85N blue quantum wells (BQWs), In0.25Ga0.75N green quantum wells (GQWs) and p-GaN were grown on Si substrate. Carrier transportation is studied by temperature-dependent electroluminescence (TDEL). With n-doping in the SLs and BQWs, the major emission peak is from the GQWs. Under low temperature and high injection current, side peaks emitted form SLs and BQWs can be observed. Reducing the number of GQWs will result in stronger side peaks. We propose that the disequilibrium in carrier concentration bring high drift velocity to the holes, partial holes fly across the sidewall of V-pits to n-side and recombined with the electrons in the BQWs and SLs.
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