Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC Preamorphized by Nitrogen Ion Implantation
Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC Preamorphized by Nitrogen Ion Implantation
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氮离子注入预非晶化p型4H-SiC湿法氧化制备MOS电容器
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R.Nipoti
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Hijikata;S.Yoshida;F.Moscatelli;A.Poggi;S.Solmi;S.Cristiani;R.Nipoti
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影响因子：
3.2
作者：
Janson, MS;Linnarsson, MK;Svensson, BG
通讯作者：
Svensson, BG
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影响因子：
1.6
作者：
S. Dimitrijev;P. Tanner;H. B. Harrison
通讯作者：
H. B. Harrison
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.693
发表时间：
2005-01-01
期刊：
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004
影响因子：
--
作者：
Ciobanu, F;Pensl, G;Schöner, A
通讯作者：
Schöner, A
离子非晶化 (0001) 6H–SiC 的氧化动力学：氧化和重结晶过程之间的竞争
影响因子：
4
作者：
A. Poggi;A. Parisini;R. Nipoti;S. Solmi
通讯作者：
S. Solmi
通过离子注入和电子辐照进行 SiC 缺陷工程
影响因子：
2.3
作者：
G. Pensl;F. Ciobanu;T. Frank;D. Kirmse;M. Krieger;S. Reshanov;F. Schmid;M. Weidner;T. Ohshima;H. Itoh;W. J. Choyke
通讯作者：
W. J. Choyke