Low-Power LSI Testing
Low-Power LSI Testing
复制标题
低功耗LSI测试
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
X. Wen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N.A. Zakaria;M.Z Khalid;X. Wen;X. Wen;X. Wen
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使用 AlN 压电 MEMS 开关实现体偏置互补逻辑
影响因子：
2.7
作者：
N. Sinha;Timothy S. Jones;Zhijun Guo;G. Piazza
通讯作者：
G. Piazza
DOI：
10.1109/iedm.2007.4418930
发表时间：
2007-12
期刊：
2007 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
K. Akarvardar;D. Elata;R. Parsa;G. Wan;K. Yoo;J. Provine;P. Peumans;R. Howe;H. Wong
通讯作者：
K. Akarvardar;D. Elata;R. Parsa;G. Wan;K. Yoo;J. Provine;P. Peumans;R. Howe;H. Wong
新型 MEMS 900 MHz 静电硅延迟线
DOI：
10.1109/icsens.2010.5690425
发表时间：
2010
期刊：
Italian National Conference on Sensors
影响因子：
--
作者：
M. Tabib;K. Alzoubi;D. Saab
通讯作者：
D. Saab
1 V、1 GHz nems 开关
DOI：
10.1109/icsens.2010.5690502
发表时间：
2010
期刊：
Italian National Conference on Sensors
影响因子：
--
作者：
M. Tabib;S. Venumbaka;K. Alzoubi;D. Saab
通讯作者：
D. Saab
复合多晶硅-铂横向纳米机电继电器
DOI：
10.31438/trf.hh2010.2
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Parsa;S. Chong;N. Patil;K. Akarvardar;J. Provine;Daesung Lee;D. Elata;S. Mitra;H. Wong;R. Howe
通讯作者：
R. Howe