Growth and transport properties of p-type GaNBi alloys
Growth and transport properties of p-type GaNBi alloys
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p型GaNBi合金的生长和输运特性
DOI：
10.1557/jmr.2011.376
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发表时间：
2011
影响因子：
2.7
通讯作者：
Levander A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Levander A
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DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
2000 International Semiconducting and Insulating Materials Conference. SIMC-XI (Cat. No.00CH37046)
影响因子：
--
作者：
W. Walukiewicz
通讯作者：
W. Walukiewicz
高As含量GaNAs合金的分子束外延在制氢中的潜在光阳极应用
DOI：
10.1116/1.3368600
发表时间：
2010
期刊：
Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
影响因子：
--
作者：
Novikov S
通讯作者：
Novikov S
影响因子：
3.2
作者：
Huang, W;Oe, K;Yoshimoto, M
通讯作者：
Yoshimoto, M
GaBiAs 在 (311)B GaAs 衬底上的分子束外延
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Henini;J. Ibáñez;M. Schmidbauer;M. Shafi;S. Novikov;L. Turyanska;S. Molina;D. L. Sales;M. Chisholm;J. Misiewicz
通讯作者：
J. Misiewicz
铋是一种新型表面活性剂或用于分子束外延生长 GaN 薄膜的接触剂
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. T. Foxon;S. Novikov;Tian Li;R. Campion;A. J. Winser;I. Harrison
通讯作者：
I. Harrison