A Compact Model of Silicon-Based Nanowire MOSFETs for Circuit Simulation and Design
A Compact Model of Silicon-Based Nanowire MOSFETs for Circuit Simulation and Design
复制标题
用于电路仿真和设计的硅基纳米线 MOSFET 紧凑模型
DOI：
10.1109/ted.2008.2005184
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发表时间：
2008-11
影响因子：
3.1
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
提出了一种用于电路模拟的硅基纳米线FET(SNWT)紧凑型模型。从求解泊松方程出发，推导出了任意掺杂浓度的单壁波导的精确反转电荷表达式。然后根据基本器件物理计算漏电流、跨导、输出电导、端子电荷和电容。该模型以一种自洽的方式考虑了短沟道效应和量子效应。数值模拟结果与解析计算结果的比较表明，该模型适用于不同尺寸和沟道掺杂的SNWTs的所有工作区域。该模型已在电路仿真器中用Verilog-A实现，并展示了它在电路仿真中的应用。
A silicon-based nanowire FET (SNWT) compact model is developed for circuit simulation. Starting from the solution of poisson's equation, an accurate inversion charge expression is derived for SNWTs with arbitrary body doping concentration. The drain current, transconductance, output conductance, terminal charges, and capacitances are then calculated based on fundamental device physics. Short-channel and quantum effects have been included in the model in a self-consistent way. Comparison between the numerical simulation and analytical calculation shows that the proposed model is valid for all operation regions of SNWTs with different dimensions and channel doping. The model has been implemented in circuit simulators by Verilog-A, and its application in circuit simulation is also demonstrated.
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DOI：
10.1109/iedm.1995.499370
发表时间：
1995-12
期刊：
Proceedings of International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
R. Rios;N. Arora;Chengxiong Huang;N. Khalil;J. Faricelli;L. Gruber
通讯作者：
R. Rios;N. Arora;Chengxiong Huang;N. Khalil;J. Faricelli;L. Gruber
DOI：
10.1142/s021945542250047x
发表时间：
2022-02
影响因子：
3.6
作者：
E. Aydil;J. Zasadzinski;A. T. Ivanova;D. K. Schwartz;Tinglu Yang
通讯作者：
E. Aydil;J. Zasadzinski;A. T. Ivanova;D. K. Schwartz;Tinglu Yang
影响因子：
3.1
作者：
Huaxin Lu;Y. Taur
通讯作者：
Huaxin Lu;Y. Taur
影响因子：
3.1
作者：
Feng Liu;Jin He;Lining Zhang;Jian Zhang;Jingjing Hu;Chenyue Ma;M. Chan
通讯作者：
Feng Liu;Jin He;Lining Zhang;Jian Zhang;Jingjing Hu;Chenyue Ma;M. Chan
影响因子：
1.7
作者：
Jin He;X. Xi;H. Wan;M. Dunga;M. Chan;A. Niknejad
通讯作者：
Jin He;X. Xi;H. Wan;M. Dunga;M. Chan;A. Niknejad