Shave-off depth profiling of dendritic short-circuit growth caused by ion migration
Shave-off depth profiling of dendritic short-circuit growth caused by ion migration
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离子迁移引起的枝晶短路生长的削去深度分析
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.Nihei
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Yamamoto;A.Maekawa;Y.Ishizaki;R.Tanaka;M.Owari;M.Nojima;Y.Nihei
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多层薄膜技术使能技术解决高密度互连和组装问题
DOI：
10.1016/s0168-9002(03)01570-5
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
E. Beyne
通讯作者：
E. Beyne
使用纳米束 SIMS 装置对实际材料进行纳米尺寸分析
影响因子：
0.7
作者：
M. Nojima;M. Toi;A. Maekawa;B. Tomiyasu;T. Sakamoto;M. Owari;Y. Nihei
通讯作者：
Y. Nihei
纳米束SIMS装置的评价
影响因子：
6.7
作者：
M. Nojima;M. Toi;A. Maekawa;B. Tomiyasu;T. Sakamoto;M. Owari;Y. Nihei
通讯作者：
Y. Nihei
利用纳米束 SIMS 进行切削深度分析
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
Journal of Surface Analysis 22
影响因子：
--
作者：
M.Toi;A.Maekawa;T.Yamamoto;B.Tomiyasu;T.Sakamoto;M.Owari;M.Nojima;Y.Nihei
通讯作者：
Y.Nihei
影响因子：
1.7
作者：
Stevie, FA;Vartuli, CB;Purcell, BM
通讯作者：
Purcell, BM