High-Voltage SOI SJ-LDMOS With a Nondepletion Compensation Layer
High-Voltage SOI SJ-LDMOS With a Nondepletion Compensation Layer
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具有非耗尽补偿层的高压 SOI SJ-LDMOS
DOI：
10.1109/led.2008.2008208
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发表时间：
2009
影响因子：
4.9
通讯作者：
Bo Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wenlian Wang;Bo Zhang
提出了一种新的具有非耗尽补偿层（NDCL）的SOI超结LDMOS。NDCL可以是自适应的，以提供额外的电荷用于补偿电荷不平衡，同时消除衬底辅助耗尽效应。此外，在埋氧层（BOX）的顶表面处的高密度氧化物界面电荷增强BOX中的电场并提高垂直击穿电压（BV）。数值模拟结果表明，在SOI衬底上，BOX厚度为0.5 μ m，漂移长度为15 μ m时，器件的表面电场分布均匀，BOX中的垂直电场增大到6 × 106 V/cm，器件的BV高达300 V.
A new superjunction LDMOS on silicon-on-insulator (SOI) with a nondepletion compensation layer (NDCL) is proposed. The NDCL can be self-adaptive to provide additional charges for compensating the charge imbalance while eliminating the substrate-assisted depletion effect. In addition, the high-density oxide interface charges at the top surface of the buried oxide layer (BOX) enhance the electric field in the BOX and improve the vertical breakdown voltage (BV). Numerical simulation results indicate that a uniform surface electric field profile is obtained and that the vertical electric field in BOX is increased to 6 times106 V/cm, which results in a high BV of 300 V for the proposed device with the BOX thickness of 0.5 mum and drift length of 15 mum on a thin SOI substrate.
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影响因子：
3.1
作者：
Luo, Xiaorong;Zhang, Bo;Li, Zhaoji
通讯作者：
Li, Zhaoji
DOI：
10.1109/ispsd.1998.702621
发表时间：
1998-06
期刊：
Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs. ISPSD'98 (IEEE Cat. No.98CH36212)
影响因子：
--
作者：
H. Funaki;Y. Yamaguchi;K. Hirayama;A. Nakagawa
通讯作者：
H. Funaki;Y. Yamaguchi;K. Hirayama;A. Nakagawa
DOI：
10.1109/ispsd.2000.856807
发表时间：
2000-05
期刊：
12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings (Cat. No.00CH37094)
影响因子：
--
作者：
H. Kapels;R. Plikat-;D. Silber
通讯作者：
H. Kapels;R. Plikat-;D. Silber
影响因子：
3.1
作者：
S. Nassif-Khalil;C. Salama
通讯作者：
S. Nassif-Khalil;C. Salama
DOI：
10.1109/ispsd.2008.4538910
发表时间：
2008-05
期刊：
2008 20th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
影响因子：
--
作者：
Y. Ōnishi;H. Wang;H. Xu;W. Ng;R. Wu;J. Sin
通讯作者：
Y. Ōnishi;H. Wang;H. Xu;W. Ng;R. Wu;J. Sin