Fabrication and characterization of Er silicates on SiO2/Si substrates
Fabrication and characterization of Er silicates on SiO2/Si substrates
复制标题
SiO2/Si 基底上硅酸铒的制备和表征
DOI：
10.1063/1.3192407
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发表时间：
2009-07
影响因子：
4
通讯作者：
Kimura, Tadamasa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Xingjun;Nakajima, Tadamasa;Isshiki, Hideo;Kimura, Tadamasa
采用溶胶-凝胶法在SiO_2/Si（100）衬底上制备了铒硅酸盐薄膜。与Si（100）衬底上的Er 2SiO 5相通常结晶不同，在1200 ° C下形成的α-Er 2Si 2 O 7的光致发光（PL）主峰位于1531 nm处
Er silicates have been fabricated on SiO2/Si(100) substrates by the sol-gel method. In contrast to Si(100) substrates, on which the Er2SiO5 phase in general crystallizes, the α-Er2Si2O7 with the photoluminescence (PL) main peak at 1531 nm formed at 1200 °
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影响因子：
3.6
作者：
Wei Wang;H. Isshiki;S. Yugo;R. Saito;T. Kimura
通讯作者：
Wei Wang;H. Isshiki;S. Yugo;R. Saito;T. Kimura
影响因子：
4
作者：
Lo Savio, R.;Miritello, M.;Iacona, F.
通讯作者：
Iacona, F.
DOI：
10.1088/0953-8984/21/1/012204
发表时间：
2009-01
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
Yang Yin;Kai Sun;Wanjin Xu;G. Ran;G. G. Qin-G.;G. G. Qin-G.;S. Wang;C. Wang
通讯作者：
Yang Yin;Kai Sun;Wanjin Xu;G. Ran;G. G. Qin-G.;G. G. Qin-G.;S. Wang;C. Wang
影响因子：
3.9
作者：
K. Masaki;H. Isshiki;T. Kimura
通讯作者：
K. Masaki;H. Isshiki;T. Kimura
影响因子：
3.9
作者：
K. Masaki;H. Isshiki;T. Kawaguchi;T. Kimura
通讯作者：
K. Masaki;H. Isshiki;T. Kawaguchi;T. Kimura