A comparative investigation on sub-micrometer InN and GaN Gunn diodes working at terahertz frequency
A comparative investigation on sub-micrometer InN and GaN Gunn diodes working at terahertz frequency
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太赫兹频率亚微米 InN 和 GaN 耿氏二极管的比较研究
DOI：
10.1063/1.4721667
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发表时间：
2012-05
影响因子：
3.2
通讯作者：
Hao Yue
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang Lin'an;Long Shuang;Guo Xin;Hao Yue
我们报告了一个模拟的纤锌矿InN和GaN古恩二极管与缺口掺杂和均匀掺杂结构的过渡区。结果表明，面积为500 μm2的0.3-1.0 μm古恩二极管可以产生0.2-0.8 TH的基频光
We report on a simulation for wurtzite-InN and GaN Gunn diodes with notch-doping and uniform-doping structural transit regions. Results show that 0.3–1.0 μm Gunn diodes with a diode area of 500 μm2 can generate fundamental frequencies of around 0.2–0.8 TH
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DOI：
10.1007/s10854-009-9896-1
发表时间：
2010-03
期刊：
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
影响因子：
--
作者：
S. O’Leary;B. Foutz;M. Shur;L. Eastman
通讯作者：
S. O’Leary;B. Foutz;M. Shur;L. Eastman
影响因子：
4
作者：
S. O’Leary;B. Foutz;M. Shur;L. Eastman
通讯作者：
S. O’Leary;B. Foutz;M. Shur;L. Eastman
DOI：
10.1002/pssb.200642433
发表时间：
2007-10
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
--
作者：
Zeki Yarar
通讯作者：
Zeki Yarar
影响因子：
4
作者：
Chung-Lin Wu;Hong-Mao Lee;C. Kuo;Chia-Hao Chen;S. Gwo
通讯作者：
Chung-Lin Wu;Hong-Mao Lee;C. Kuo;Chia-Hao Chen;S. Gwo
影响因子：
3.2
作者：
O'Leary, SK;Foutz, BE;Eastman, LF
通讯作者：
Eastman, LF