Reduction of residual carrier concentrations in undoped β-FeSi_2 films by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
Reduction of residual carrier concentrations in undoped β-FeSi_2 films by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
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原子氢辅助分子束外延降低未掺杂β-FeSi_2薄膜中残余载流子浓度
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Suemasu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Suzuno;K. Akutsu;H. Kawakami;and T. Suemasu
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影响因子：
4
作者：
Terai, Y;Maeda, Y
通讯作者：
Maeda, Y
影响因子：
4
作者：
H. Udono;I. Kikuma;T. Okuno;Y. Masumoto;H. Tajima
通讯作者：
H. Udono;I. Kikuma;T. Okuno;Y. Masumoto;H. Tajima
残留杂质对分子束外延生长β-FeSi2外延薄膜输运性能的影响
影响因子：
3.2
作者：
Y. Terai;K. Noda
通讯作者：
K. Noda
DOI：
10.1143/jjap.34.l1379
发表时间：
1995-10-15
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
影响因子：
--
作者：
SUTOH, A;OKADA, Y;KAWABE, M
通讯作者：
KAWABE, M
使用时间分辨测量通过分子束外延和光致发光在 Si(111) 基底上生长 Si∕β-FeSi2∕Si 双异质结构
影响因子：
3.2
作者：
M. Takauji;N. Seki;T. Suemasu;F. Hasegawa;M. Ichida
通讯作者：
M. Ichida