Reliable Single Atom Doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance
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可靠的单原子掺杂和离散掺杂剂对晶体管性能的影响
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
I.Ohdomari
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Shinada;M.Hori;Y.Ono;K.Taira;A.Komatsubara;T.Tanii;T.Endoh;I.Ohdomari
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硅纳米级场效应晶体管中单个受主的水平位置分析
DOI：
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发表时间：
2009
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影响因子：
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通讯作者：
A. Fujiwara
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T. Shinada;Y. Kumura;Jun Okabe;T. Matsukawa;I. Ohdomari
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通讯作者：
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通讯作者：
P. Hesto