Resistive switching behavior of La-doped ZnO films for nonvolatile memory applications
Resistive switching behavior of La-doped ZnO films for nonvolatile memory applications
复制标题
用于非易失性存储器应用的 La 掺杂 ZnO 薄膜的电阻开关行为
DOI：
10.1016/j.sse.2011.05.023
复制
发表时间：
2011-09
影响因子：
1.7
通讯作者：
唐明华
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
唐明华
登录
查看更多内容
DOI：
10.1109/iedm.2008.4796677
发表时间：
2008-01-01
期刊：
ELECTRONIC COMMERCE: THEORY AND PRACTICE
影响因子：
--
作者：
Lee, H.;Shim, J.
通讯作者：
Shim, J.
影响因子：
4
作者：
Won Jun Park;H. Shin;B. Ahn;G. Kim;S. M. Lee;K. Kim;Hyun Jae Kim
通讯作者：
Won Jun Park;H. Shin;B. Ahn;G. Kim;S. M. Lee;K. Kim;Hyun Jae Kim
Cu 掺杂 ZrO2 中的非极性非易失性电阻开关
影响因子：
4.9
作者：
Guan, Weihua;Long, Shibing;Wang, Wei
通讯作者：
Wang, Wei
影响因子：
4
作者：
Chang, Wen-Yuan;Lai, Yen-Chao;Tsai, Ming-Jinn
通讯作者：
Tsai, Ming-Jinn
影响因子：
4.9
作者：
Lin, Chun-Chieh;Tu, Bing-Chung;Tseng, Tseung-Yuen
通讯作者：
Tseng, Tseung-Yuen