Deep-Ultraviolet Emission Si-doped AlGaN Excited by Electron Beam
Deep-Ultraviolet Emission Si-doped AlGaN Excited by Electron Beam
复制标题
电子束激发深紫外发射硅掺杂AlGaN
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Takaoka and H. Yoshida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Miyake;Y. Shimahara;S. Ochiai;K. Hiramatsu;F. Fukuyo;T. Okada;H. Takaoka and H. Yoshida
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影响因子：
35
作者：
Oto, Takao;Banal, Ryan G.;Kawakami, Yoichi
通讯作者：
Kawakami, Yoichi
影响因子：
2.3
作者：
Yuki Shimahara;H. Miyake;K. Hiramatsu;F. Fukuyo;Tomoyuki Okada;Hidetsugu Takaoka;H. Yoshida
通讯作者：
Yuki Shimahara;H. Miyake;K. Hiramatsu;F. Fukuyo;Tomoyuki Okada;Hidetsugu Takaoka;H. Yoshida
影响因子：
4
作者：
Hirayama, Hideki;Yatabe, Tohru;Kamata, Norihiko
通讯作者：
Kamata, Norihiko
影响因子：
2.3
作者：
Hirayama, Hideki;Tsukada, Yusuke;Kamata, Norihiko
通讯作者：
Kamata, Norihiko
DOI：
10.1002/pssa.200880961
发表时间：
2009-06-01
影响因子：
2
作者：
Hirayama, Hideki;Fujikawa, Sachie;Kamata, Norihiko
通讯作者：
Kamata, Norihiko