Extremely high electron mobility of pseudomorphic In_<0.74>Ga_<0.2>6As/In_<0.46>Al_<0.54>As modulation-doped quantum wells grown on(411)A InP substrates by molecular-beam epitaxy
Extremely high electron mobility of pseudomorphic In_<0.74>Ga_<0.2>6As/In_<0.46>Al_<0.54>As modulation-doped quantum wells grown on(411)A InP substrates by molecular-beam epitaxy
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通过分子束外延在 (411)A InP 衬底上生长的赝晶 In_<0.74>Ga_<0.2>6As/In_<0.46>Al_<0.54>As 调制掺杂量子阱具有极高的电子迁移率
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Hino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Ikushima;H.Sakuma;Y.Yoshimura;S.Komiyama;T.Ueda;K.Hirakawa;H.Hino
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影响因子：
3.1
作者：
NGUYEN, LD;BROWN, AS;JELLOIAN, LM
通讯作者：
JELLOIAN, LM
GaAs 衬底上生长的 In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.25As 调制掺杂异质结构的低温高电子迁移率
影响因子：
1.5
作者：
S. Gozu;Chulun Hong;S. Yamada
通讯作者：
S. Yamada
GaAs 和 InP 衬底上调制掺杂 InxAl1−xAs/InyGa1−yAs 结构的电性能（0.2⩽x, y⩽0.8）
影响因子：
1.4
作者：
W. Cai;Z. Wang;D. Miller
通讯作者：
D. Miller
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影响因子：
1.5
作者：
S. Shimomura;A. Wakejima;A. Adachi;Y. Okamoto;N. Sano;K. Murase;S. Hiyamizu
通讯作者：
S. Hiyamizu
用于高电子迁移率晶体管的调制掺杂 InAlAs/InGaAs 量子阱结构
影响因子：
1.4
作者：
W. Klein;G. Böhm;M. Sexl;S. Grigull;H. Heiss;G. Tränkle;G. Weimann
通讯作者：
G. Weimann