Characterization of deep centers in semi-insulating SiC and HgI_2:Application of discharge current transient spectroscopy
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半绝缘SiC和HgI_2深部中心的表征：放电电流瞬态光谱的应用
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K.Taniguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Matsuura;M.Takahashi;S.Nagata;and K.Taniguchi
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