Watermarked ReRAM: A Technique to Prevent Counterfeit Memory Chips
Watermarked ReRAM: A Technique to Prevent Counterfeit Memory Chips
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带水印的 ReRAM：一种防止假冒存储芯片的技术
DOI：
10.1145/3526241.3530341
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Rahman, Md Tauhidur
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ferdaus, Farah;Bahar Talukder, Bashir Mohammad;Rahman, Md Tauhidur
电子伪造是一个长期存在的问题，对许多部门产生长期不利影响，而且仍在增加。本文提出了一种新型的低成本技术，通过切换（设置/重置）操作操纵其模拟物理特性，在具有阻性RAM（ReRAM）的设备中嵌入水印，以防止伪造。我们开发了一个系统级框架来控制存储单元的物理特性，以便将不可逆水印压印到商业ReRAM中，这些ReRAM将通过感测单元物理特性的变化来检索。实验结果表明，我们提出的ReRAM水印是对温度变化的鲁棒性和可接受的快速~0.6bit/min的印记和~15.625bits/s的检索率。
Electronic counterfeiting is a longstanding problem with adverse long-term effects for many sectors, remaining on the rise. This article presents a novel low-cost technique to embed watermarking in devices with resistive-RAM (ReRAM) by manipulating its analog physical characteristics through switching (set/reset) operation to prevent counterfeiting. We develop a system-level framework to control memory cells' physical properties for imprinting irreversible watermarks into commercial ReRAMs that will be retrieved by sensing the changes in cells' physical properties. Experimental results show that our proposed ReRAM watermarking is robust against temperature variation and acceptably fast with ~0.6bit/min of imprinting and ~15.625bits/s of retrieval rates.
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