Investigation of InGaN p-i-n Homojunction and Heterojunction Solar Cells
Investigation of InGaN p-i-n Homojunction and Heterojunction Solar Cells
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InGaN p-i-n 同质结和异质结太阳能电池的研究
DOI：
10.1109/lpt.2012.2227702
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发表时间：
2013
影响因子：
2.6
通讯作者：
B. P. Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
X .M. Cai;Y. Wang;B. H. Chen;M. M. Liang;W. J. Liu;J. Y. Zhang;X. Q. Lv;L. Y. Ying;B. P. Zhang
研究了耗尽区宽度相近的InGaN p-i-n同质结(HoJ)和异质结(HeJ)太阳电池(SCs)。通过对材料性能和器件性能的比较，表明HEJ比HoJ具有更好的性能，说明HEJ是制备InGaN SCS的首选材料。对今后InGaN单晶的发展提出了一些建议。
InGaN p-i-n homojunction (HOJ) and heterojunction (HEJ) solar cells (SCs) with similar width of depletion region are investigated. Through comparison of both the material property and device performance, it is demonstrated that HEJ exhibits much better results than HOJ, indicating that HEJ is preferred for fabrication of InGaN SCs. Some suggestions are proposed for the development of InGaN SCs in the future.
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