Key Issues and Solutions for Characterizing Hot Carrier Aging of Nanometer Scale nMOSFETs
Key Issues and Solutions for Characterizing Hot Carrier Aging of Nanometer Scale nMOSFETs
复制标题
表征纳米级 nMOSFET 热载流子老化的关键问题和解决方案
DOI：
10.1109/ted.2017.2691008
复制
发表时间：
2017
影响因子：
3.1
通讯作者：
Duan M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Duan M
登录
查看更多内容
RF 应力下 MOSFET 退化
影响因子：
3.1
作者：
G. Sasse;F. Kuper;J. Schmitz
通讯作者：
J. Schmitz
直流和射频应力条件下的退化之间的关系
影响因子：
3.1
作者：
A. Scholten;D. Stephens;G. Smit;G. Sasse;J. Bisschop
通讯作者：
J. Bisschop
使用双极玻尔兹曼输运方程的球谐展开式对热载流子退化进行建模
DOI：
10.1109/iedm.2012.6479138
发表时间：
2012
期刊：
2012 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
M. Bina;K. Rupp;S. Tyaginov;O. Triebl;T. Grasser
通讯作者：
T. Grasser
具有金属栅极/高 $k$ 电介质的 nMOSFET 的 PBTI 相关高温热载流子退化
影响因子：
4.9
作者：
Kyong;C. Kang;Ooksang Yoo;R. Choi;B. Lee;J.C. Lee;H. Lee;Y. Jeong
通讯作者：
Y. Jeong
BTI 引起的器件参数退化与按比例缩放的金属栅/高 k CMOS 技术变化的相关性
DOI：
10.1109/irps.2014.6861102
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE International Reliability Physics Symposium
影响因子：
--
作者：
A. Kerber;T. Nigam
通讯作者：
T. Nigam