Electron transmission through complementary semiconductor junctions
Electron transmission through complementary semiconductor junctions
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通过互补半导体结的电子传输
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Katsuyoshi Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
砂田香矢乃;橋本和仁;Katsuyoshi Kobayashi
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钨层及其在 VLSI 互连中的应用
DOI：
10.1109/iedm.1988.32855
发表时间：
1988
期刊：
Technical Digest., International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
N. Tsai;V. Rana;R. Huttemann;Y. Wong;R.W. Haynes;R. Singh;A. Manocha
通讯作者：
A. Manocha
DOI：
10.1109/apmc.2013.6694946
发表时间：
2013
期刊：
2013 Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings (APMC)
影响因子：
--
作者：
Jun;Ren;Wen;S. Wu;Cheng;Ming
通讯作者：
Ming
具有不同 Ta 基侧壁扩散势垒的 Cu 互连的织构表征
影响因子：
2.3
作者：
Christopher J. Wilson;Chao Zhao;H. Volders;L. Zhao;K. Croes;Zsolt Tkei;G. Beyer
通讯作者：
G. Beyer
DOI：
10.1109/icicdt.2011.5783204
发表时间：
2011
期刊：
2011 IEEE International Conference on IC Design & Technology
影响因子：
--
作者：
G. Pares;N. Bresson;S. Minoret;V. Lapras;P. Brianceau;J. Lugand;R. Anciant;N. Sillon
通讯作者：
N. Sillon
影响因子：
3.2
作者：
Reid, JS;Kolawa, E;Ruiz, RP
通讯作者：
Ruiz, RP