SOI-CMOS PLATFORM FOR MONOLITHICALLY INTEGRATING HIGH-VOL TAGE DRIVER CIRCUITS WITH BULK-MICROMACHINED ACTUATORS
SOI-CMOS PLATFORM FOR MONOLITHICALLY INTEGRATING HIGH-VOL TAGE DRIVER CIRCUITS WITH BULK-MICROMACHINED ACTUATORS
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用于将高压驱动器电路与体微机械执行器单片集成的 SOI-CMOS 平台
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Kazuhiro Takahashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kazuhiro Takahashi;K. Takahashi;K. Takahashi;K. Takahashi;K. Takahashi;H.Toshiyoshi;Kazuhiro Takahashi
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单片集成静电 XYZ 平台的拓扑层交换技术
DOI：
10.1109/memsys.2007.4432992
发表时间：
2007
期刊：
2007 IEEE 20th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS)
影响因子：
--
作者：
Kazuhiro Takahashi;M. Mita;Hiroyuki Fujita;H. Toshiyoshi
通讯作者：
H. Toshiyoshi
用于毫米级多层垂直/倾斜硅结构的嵌入式掩模方法
DOI：
10.1109/memsys.2000.838533
发表时间：
2000
期刊：
Proceedings IEEE Thirteenth Annual International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (Cat. No.00CH36308)
影响因子：
--
作者：
Y. Mita;M. Mita;A. Tixier;J. Gouy;H. Fujita
通讯作者：
H. Fujita
光学 IMEMS ® – 具有集成片上电子器件的 MEMS 光学开关的制造工艺
DOI：
10.1109/iedm.2012.6478989
发表时间：
2003
期刊：
2012 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
T. Brosnihan;S. A. Brown;A. Brogan;C. Gormley;D. Collins;S. Sherman;M. Lemkin;N. Polce;M. Davis
通讯作者：
M. Davis
具有片上检测电路的表面微机械硅加速度计
影响因子：
4.6
作者：
W. Kuehnel;S. Sherman
通讯作者：
S. Sherman
采用粘合 2 /spl mu/m SOI 的高压 BiCDMOS 技术，集成垂直 npn pnp、60 V-LDMOS 和 MPU，能够在 200/spl deg/C 温度下运行
DOI：
10.1109/iedm.1995.499377
发表时间：
1995
期刊：
Proceedings of International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
H. Funaki;Y. Yamaguchi;Y. Kawaguchi;Y. Terazaki;H. Mochizuki;A. Nakagawa
通讯作者：
A. Nakagawa