Methods for Determining the Collector Series Resistance in SiGe HBTs—A Review and Evaluation Across Different Technologies
Methods for Determining the Collector Series Resistance in SiGe HBTs—A Review and Evaluation Across Different Technologies
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SiGe HBT 中集电极串联电阻的确定方法跨不同技术的审查和评估
DOI：
10.1109/ted.2018.2853092
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发表时间：
2018
影响因子：
3.1
通讯作者：
M. Schröter
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Pawlak;J. Krause;M. Schröter
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影响因子：
3.1
作者：
A. Pawlak;M. Schroter
通讯作者：
A. Pawlak;M. Schroter
DOI：
10.1109/bctm.2015.7340560
发表时间：
2015-12
期刊：
2015 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - BCTM
影响因子：
--
作者：
A. Pawlak;S. Lehmann;P. Sakalas;J. Krause;K. Aufinger;B. Ardouin;M. Schroter
通讯作者：
A. Pawlak;S. Lehmann;P. Sakalas;J. Krause;K. Aufinger;B. Ardouin;M. Schroter
采用非选择性外延的高性能 0.25 /spl mu/m SiGe 和 SiGe:C HBT
DOI：
10.1109/bipol.2001.957855
发表时间：
2001
期刊：
Proceedings of the 2001 BIPOLAR/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Cat. No.01CH37212)
影响因子：
--
作者：
H. Baudry;B. Martinet;C. Fellous;O. Kermarrec;Y. Campidelli;M. Laurens;M. Marty;J. Mourier;G. Troillard;A. Monroy;D. Dutartre;D. Bensahel;G. Vincent;A. Chantre
通讯作者：
A. Chantre
单一晶体管几何结构的 HICUM 参数提取方法
DOI：
10.1109/bipol.2002.1042899
发表时间：
2002
期刊：
Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
影响因子：
--
作者：
Dominique Berger;D. Cell;Michael Schroter;M. Malorny;Thomas Zimmer;B. Ardouin
通讯作者：
B. Ardouin
根据测量的 S 参数直接计算 HBT 等效电路
DOI：
10.1109/mwsym.1992.188090
发表时间：
1992
期刊：
1992 IEEE Microwave Symposium Digest MTT-S
影响因子：
--
作者：
D. Pehlke;D. Pavlidis
通讯作者：
D. Pavlidis