The improvement of Mo/4H-SiC Schottky diodes via a P2O5 surface passivation treatment
The improvement of Mo/4H-SiC Schottky diodes via a P2O5 surface passivation treatment
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P2O5表面钝化处理Mo/4H-SiC肖特基二极管的改进
DOI：
10.1063/1.5133739
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发表时间：
2020
影响因子：
3.2
通讯作者：
Renz A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Renz A
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DOI：
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发表时间：
2018
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作者：
D. Navarro;F. A. Herrera;H. Zenitani;M. Miura;N. Yorino;H. Mattausch;M. Takusagawa;J. Kobayashi;M. Hara
通讯作者：
M. Hara
影响因子：
4
作者：
J. Cantin;H. Bardeleben;Y. Ke;R. Devaty;W. J. Choyke
通讯作者：
J. Cantin;H. Bardeleben;Y. Ke;R. Devaty;W. J. Choyke
适用于 4H-SiC MOSFET 的薄 PSG 工艺
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Sharma;A. Ahyi;T. Isaacs;A. Modic;Yi Xu;Eric Granfukel;M. Jennings;C. Fisher;S. Thomas;P. Mawby;S. Dhar;L. Feldman;John R. Williams
通讯作者：
John R. Williams
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
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影响因子：
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作者：
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通讯作者：
F. Roccaforte
通过 MOS 分析了解 Mo/4H-SiC 肖特基二极管内钝化的表面效应
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
A. Renz;V. Shah;O. Vavasour;Y. Bonyadi;G. Baker;Fan Li;T. Dai;M. Walker;P. Mawby;P. Gammon
通讯作者：
P. Gammon