Electrical Properties of n-type GaPN Grown by Molecular-Beam Epitaxy
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分子束外延生长的 n 型 GaPN 的电性能
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A.Sato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Furukawa;H.Yonezu;A.Wakahara;Y.Yoshizumi;Y.Morita;A.Sato
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RF-MBE InGaAsN 生长层的电特性
DOI：
10.1002/pssc.200303560
发表时间：
2003
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
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作者：
T. Suzuki;T. Yamaguchi;A. Yamamoto;A. Hashimoto
通讯作者：
A. Hashimoto
离子收集器 RF-MBE 生长 GaPN 层晶体质量的改善
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Phys.Stat.Sol.(a) Vol.202, No.5
影响因子：
--
作者：
A.Utsumi;Y.Furukawa;H.Yonezu;Y.Yoshizumi;Y.Morita;A.Wakahara
通讯作者：
A.Wakahara
无位错 GaAsyP1−x−yNx/GaP0.98N0.02 量子阱结构，与 Si 衬底晶格匹配
影响因子：
4
作者：
Y. Fujimoto;H. Yonezu;A. Utsumi;K. Momose;Y. Furukawa
通讯作者：
Y. Furukawa
GaAs 上生长的高导电 GaAsNSe 合金及其非合金欧姆特性
影响因子：
4
作者：
K. Uesugi;I. Suemune
通讯作者：
I. Suemune
金属有机化学气相沉积生长的 GaN 中无意的碳和氢掺入
影响因子：
1.8
作者：
J. Geisz;R. Reedy;B. Keyes;W. Metzger
通讯作者：
W. Metzger