Room temperature GaN-GaAs direct bonding by argon-beam surfaceactivation
Room temperature GaN-GaAs direct bonding by argon-beam surfaceactivation
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通过氩束表面活化进行室温 GaN-GaAs 直接键合
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tadatomo Suga
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Eiji Higurashi;Yuichiro Tokuda;Masatake Akaike;Tadatomo Suga
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具有 GaAs 中间层的金属/GaN 接触的改性
DOI：
10.1063/1.370158
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
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作者：
K. Horiba;K. Ono;H. Fujioka;M. Oshima;H. Miki;A. Fukizawa;M. Okuyama;Y. Watanabe
通讯作者：
Y. Watanabe
基于氮化物和 II-VI 材料组合的新型器件
DOI：
10.1002/pssa.200565429
发表时间：
2006
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
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作者：
A. Murai;C. Kruse;L. McCarthy;U. Mishra;S. Denbaars;D. Hommel
通讯作者：
D. Hommel
第一个晶圆熔合 AlGaAs-GaAs-GaN 异质结双极晶体管
DOI：
10.1557/proc-743-l12.10
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Estrada;A. Stonas;Andrew Huntington;H. Xing;L. Coldren;S. Denbaars;U. Mishra;E. Hu
通讯作者：
E. Hu
晶圆键合 GaN/GaN 和 GaN/AlGaN 半导体的界面结构和粘附力
影响因子：
3.2
作者：
F. Shi;K. Chang;K. Hsieh;L. Guido;Bill Hoke
通讯作者：
Bill Hoke
可见光 AlGaInP 和红外 AlInGaAs 激光器与 GaN 基光源的异质集成
DOI：
10.1049/el:19991456
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Floyd;D. W. Treat;D. Bour
通讯作者：
D. Bour