Lateral epitaxial overgrowth and reduction in defect density of 3C-SiC on patterned Si
Lateral epitaxial overgrowth and reduction in defect density of 3C-SiC on patterned Si
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图案化硅上 3C-SiC 的横向外延过度生长和缺陷密度降低
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S.Nishino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.R.Bushroa;C.Jacob;H.Saijo;S.Nishino
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通过金属有机气相外延和氢化物气相外延进行 GaN 的选择性区域生长和外延横向过生长
DOI：
10.1016/s0921-5107(98)00339-0
发表时间：
1999
影响因子：
3.6
作者：
K. Hiramatsu;H. Matsushima;T. Shibata;Yasutoshi Kawagachi;N. Sawaki
通讯作者：
N. Sawaki
使用晶圆键合技术在 SiO2 结构上制造 3C-SiC
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.223
发表时间：
1997
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
C. Zorman;K. Vinod;A. A. Yasseen;M. Mehregany
通讯作者：
M. Mehregany
使用 SiO2 牺牲层技术选择性生长高质量 3C-SiC
影响因子：
2.1
作者：
M. Eickhoff;H. Möller;M. Rapp;G. Kroetz
通讯作者：
G. Kroetz
影响因子：
3.5
作者：
H. Fitting;T. Barfels;A. Trukhin;B. Schmidt
通讯作者：
H. Fitting;T. Barfels;A. Trukhin;B. Schmidt
使用六氯乙硅烷和丙烷在图案化硅衬底上选择性外延生长碳化硅
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.249
发表时间：
2000
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
C. Jacob;M. Hong;Juyong Chung;P. Pirouz;S. Nishino
通讯作者：
S. Nishino