Analytic modeling of potential and threshold voltage for short-channel thin-body fully depleted silicon-on-insulator MOSFETs with a vertical Gaussian doping profile
Analytic modeling of potential and threshold voltage for short-channel thin-body fully depleted silicon-on-insulator MOSFETs with a vertical Gaussian doping profile
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具有垂直高斯掺杂分布的短沟道薄体全耗尽绝缘体上硅 MOSFET 的电位和阈值电压的分析建模
DOI：
10.7567/jjap.55.104201
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发表时间：
2016-09
影响因子：
1.5
通讯作者：
Li Geng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sufen Wei;Guohe Zhang;Zhibiao Shao;Huixiang Huang;Li Geng
对于短沟道薄体（20-30 nm），通过垂直离子注入和快速热退火（RTA）相结合得到的垂直掺杂分布，我们验证了一维（1D）高斯分布是一个合适的近似。
We verify that one-dimensional (1D) Gaussian expression is an appropriate approximation of the vertical doping profile, which is obtained by combining perpendicular ion implantation and rapid thermal annealing (RTA), for short-channel thin-body (20–30 nm)
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DOI：
10.1109/iccdcs.2000.869846
发表时间：
2000-03
期刊：
Proceedings of the 2000 Third IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems (Cat. No.00TH8474)
影响因子：
--
作者：
Cristian Ravariu;Adrian Rusu;F. Ravariu;Dobrescu;'. LidiaDobrescu;Politechnica
通讯作者：
Cristian Ravariu;Adrian Rusu;F. Ravariu;Dobrescu;'. LidiaDobrescu;Politechnica
影响因子：
3.1
作者：
Kunihiro Suzuki;Yuji Kataoka;S. Nagayama;Charles W. Magee;T. Büyüklimanli;Tsutomu Nagayama
通讯作者：
Kunihiro Suzuki;Yuji Kataoka;S. Nagayama;Charles W. Magee;T. Büyüklimanli;Tsutomu Nagayama
影响因子：
1.8
作者：
O. Flament;J. Leray;F. Martin;E. Orsier;J. Pelloie;R. Truche;R. Devine
通讯作者：
O. Flament;J. Leray;F. Martin;E. Orsier;J. Pelloie;R. Truche;R. Devine
影响因子：
3.1
作者：
Xie, Qian;Lee, Chia-Jung;Taur, Yuan
通讯作者：
Taur, Yuan
DOI：
10.1109/soi.1989.69745
发表时间：
1989-10
期刊：
IEEE SOS/SOI Technology Conference
影响因子：
--
作者：
J. Woo;K. Terrill;P. Vasudev
通讯作者：
J. Woo;K. Terrill;P. Vasudev