Line edge roughness of a latent image in post-optical lithography
Line edge roughness of a latent image in post-optical lithography
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后光学光刻中潜像的线边缘粗糙度
作者：
A. Saeki;T. Kozawa;S. Tagawa;H. B. Cao
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光刻胶聚合物分子量对表面粗糙度和线边缘粗糙度的影响
影响因子：
1.4
作者：
T. Yamaguchi;K. Yamazaki;H. Namatsu
通讯作者：
H. Namatsu
聚合物相分离对抗蚀剂特征粗糙度的影响
影响因子：
1.4
作者：
S. Yasin;D. Hasko;M. Khalid;D. Weaver;H. Ahmed
通讯作者：
H. Ahmed
减少顶面成像过程中的线边缘粗糙度
影响因子：
1.4
作者：
S. Mori;T. Morisawa;Nobuyuki N. Matsuzawa;Y. Kaimoto;M. Endo;T. Matsuo;K. Kuhara;M. Sasago
通讯作者：
M. Sasago
研究微观区域的辐射诱发反应，以基本了解光刻工艺中的电子束图案化（II）–抗蚀剂空间分辨率与离子物质空间分布之间的关系–
影响因子：
1.5
作者：
A. Saeki;T. Kozawa;Y. Yoshida;S. Tagawa
通讯作者：
S. Tagawa
显影剂分子尺寸对电子束抗蚀剂溶解前沿粗糙度的影响
影响因子：
1.4
作者：
T. Yamaguchi;H. Namatsu
通讯作者：
H. Namatsu