Quantitative analysis of the trapping effect on terahertz AlGaN/GaN resonant tunneling diode
Quantitative analysis of the trapping effect on terahertz AlGaN/GaN resonant tunneling diode
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太赫兹AlGaN/GaN谐振隧道二极管俘获效应的定量分析
DOI：
10.1063/1.3650253
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发表时间：
2011-10
影响因子：
4
通讯作者：
Hao, Yue
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang, Lin'an;He, Hanbing;Mao, Wei;Hao, Yue
报道了在极化AlGaN/GaN/AlGaN量子阱中引入深能级缺陷，在室温下模拟太赫兹AlGaN/GaN共振隧穿二极管（RTD）.结果表明，当缺陷密度高于106 cm-2时，RTD的负微分电阻特性发生明显退化，这与最先进的GaN RTD的测量结果一致。在300 GHz附近，RTD振荡器的模拟也表明，由于电子捕获效应，射频功率和效率明显下降。
We report on a simulation for terahertz aluminum gallium nitride (AlGaN)/gallium nitride (GaN) resonant tunneling diode (RTD) at room temperature by introducing deep-level defects into the polarized AlGaN/GaN/AlGaN quantum well. Results show that an evident degradation in negative-differential-resistance characteristic of RTD occurs when the defect density is higher than ∼106 cm−2, which is consistent with the measurements of the state-of-the-art GaN RTDs. At around 300 GHz, the simulation for a RTD oscillator also demonstrates evident decreases of rf power and efficiency because of the electron trapping effect.
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影响因子：
4
作者：
C. Bayram;Z. Vashaei;M. Razeghi
通讯作者：
C. Bayram;Z. Vashaei;M. Razeghi
影响因子：
4
作者：
Fang, ZQ;Look, DC;Adesida, I
通讯作者：
Adesida, I
影响因子：
4
作者：
Krishnamoorthy, Sriram;Nath, Digbijoy N.;Rajan, Siddharth
通讯作者：
Rajan, Siddharth
影响因子：
3.2
作者：
H. Fukuyama;T. Waho;T. Mizutani
通讯作者：
H. Fukuyama;T. Waho;T. Mizutani
DOI：
10.1109/cornel.1991.170031
发表时间：
1991-08
期刊：
[1991] Proceedings IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits
影响因子：
--
作者：
H. Brugger;U. Meiners;C. Wolk;R. Deufel;J. Schroth;A. Forster;H. Luth
通讯作者：
H. Brugger;U. Meiners;C. Wolk;R. Deufel;J. Schroth;A. Forster;H. Luth