Magnetoresistance ratio of more than 1% at room temperature in germanium vertical spin-valve devices with Co2FeSi
Magnetoresistance ratio of more than 1% at room temperature in germanium vertical spin-valve devices with Co2FeSi
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磁阻%20ratio%20of%20more%20than%201%%20at%20room%20温度%20in%20锗%20垂直%20旋转阀%20devices%20with%20Co2FeSi
DOI：
10.1063/5.0061504
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发表时间：
2021
影响因子：
4
通讯作者：
Hamaya K.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yamada A.;Yamada M.;Honda M.;Yamada S.;Sawano K.;Hamaya K.
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影响因子：
4
作者：
Nishimura, Tomonori;Kita, Koji;Toriumi, Akira
通讯作者：
Toriumi, Akira
影响因子：
4
作者：
K. Kudo;M. Yamada;S. Honda;Y. Wagatsuma;S. Yamada;K. Sawano;K. Hamaya
通讯作者：
K. Kudo;M. Yamada;S. Honda;Y. Wagatsuma;S. Yamada;K. Sawano;K. Hamaya
室温下锗的非局域光电自旋注入和检测
DOI：
10.1063/1.5003244
发表时间：
2016
期刊：
Bulletin of the American Physical Society
影响因子：
--
作者：
F. Rortais;C. Zucchetti;L. Ghirardini;A. Ferrari;C. Vergnaud;J. Widiez;A. Marty;J. Attan'e;H. Jaffrès;J. George;M. Celebrano;G. Isella;F. Ciccacci;M. Finazzi;F. Bottegoni;M. Jamet
通讯作者：
M. Jamet
真空沉积在厚度达 106 Å 的半绝缘 GaAs 上的外延锗薄膜的电特性
影响因子：
4
作者：
J. Davey
通讯作者：
J. Davey
自旋场可编程门阵列的可扩展性：基于自旋金属氧化物半导体场效应晶体管的可重构架构
影响因子：
3.2
作者：
T. Tanamoto;H. Sugiyama;T. Inokuchi;T. Marukame;M. Ishikawa;K. Ikegami;Yoshiaki Saito
通讯作者：
Yoshiaki Saito