Conducting mechanisms of forming-free TiW/Cu2O/Cu memristive devices
Conducting mechanisms of forming-free TiW/Cu2O/Cu memristive devices
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免成型TiW/Cu2O/Cu忆阻器件的导电机制
DOI：
10.1063/1.4928979
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发表时间：
2015-08
影响因子：
4
通讯作者：
Miao X. S.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yan P.;Li Y.;Hui Y. J.;Zhong S. J.;Zhou Y. X.;Xu L.;Liu N.;Qian H.;Sun H. J.;Miao X. S.
P型Cu 2 O是一种很有前途的CMOS兼容候选人，用于制造下一代存储器，逻辑和神经形态计算的忆阻器件。本文对TiW/Cu_2 O/Cu忆阻器件的微观开关和导电机制进行了深入的研究。在没有电铸过程的情况下，双极阻变行为归因于由铜空位组成的导电丝的形成和断裂。在低电阻状态下，灯丝中电子的传输遵循Mott的变程跳跃理论。当器件切换回高阻态时，Cu/Cu 2 O界面处的肖特基发射和残余细丝之间的电子跳跃共存是器件导电过程的主导.我们的研究结果将有助于对p型忆阻材料的进一步理解和优化。
P-type Cu2O is a promising CMOS-compatible candidate to fabricate memristive devices for next-generation memory, logic and neuromorphic computing. In this letter, the microscopic switching and conducting mechanisms in TiW/Cu2O/Cu memristive devices have been thoroughly investigated. The bipolar resistive switching behaviors without an electro-forming process are ascribed to the formation and rupture of the conducting filaments composed of copper vacancies. In the low resistive state, the transport of electrons in the filaments follows Mott's variable range hopping theory. When the devices switch back to high resistive state, the coexistence of Schottky emission at the Cu/Cu2O interface and electron hopping between the residual filaments is found to dominate the conducting process. Our results will contribute to the further understanding and optimization of p-type memristive materials.
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影响因子：
4
作者：
Woo-young Yang;S. Rhee
通讯作者：
Woo-young Yang;S. Rhee
影响因子：
--
作者：
Younis A;Chu D;Lin X;Lee J;Li S
通讯作者：
Li S
DOI：
10.1149/05004.0003ecst
发表时间：
2013-03
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
A. Chin;Chun‐Hu Cheng;Y. Chiu;Z. W. Zheng;Ming Liu
通讯作者：
A. Chin;Chun‐Hu Cheng;Y. Chiu;Z. W. Zheng;Ming Liu
影响因子：
4
作者：
M. K. Hota;J. A. Caraveo-Frescas;M. McLachlan;H. Alshareef
通讯作者：
M. K. Hota;J. A. Caraveo-Frescas;M. McLachlan;H. Alshareef
影响因子：
8.6
作者：
J. Koza;I. Schroen;M. Willmering;J. Switzer
通讯作者：
J. Koza;I. Schroen;M. Willmering;J. Switzer