Room-temperature epitaxial growth of AlN on atomically flat MgA1204 substrates
Room-temperature epitaxial growth of AlN on atomically flat MgA1204 substrates
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AlN 在原子级平坦 MgA1204 基底上的室温外延生长
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
G.Li
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Matsuura A;Kakigi T;Sato Y;Fujii K;Mitani N;Li JY;Oshima A;Washio M;G.Li;G.Li
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影响因子：
4
作者：
Y. Kawaguchi;J. Ohta;A. Kobayashi;H. Fujioka
通讯作者：
Y. Kawaguchi;J. Ohta;A. Kobayashi;H. Fujioka
DOI：
10.1088/0953-8984/4/30/004
发表时间：
1992
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
N. W. Grimes;E. A. Al
通讯作者：
E. A. Al
影响因子：
4
作者：
Kobayashi, A;Kawaguchi, Y;Ishii, A
通讯作者：
Ishii, A
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影响因子：
3.2
作者：
C. Scozzie;A. Lelis;F. B. McLean;R. Vispute;S. Choopun;A. Patel;R. Sharma;T. Venkatesan
通讯作者：
T. Venkatesan
影响因子：
4
作者：
Inoue, S.;Okamoto, K.;Fujioka, H.
通讯作者：
Fujioka, H.