MOCVD-grown β-Ga2O3 as a Gate Dielectric on AlGaN/GaN-Based Heterojunction Field Effect Transistor
MOCVD-grown β-Ga2O3 as a Gate Dielectric on AlGaN/GaN-Based Heterojunction Field Effect Transistor
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MOCVD 生长的 β-Ga2O3 作为 AlGaN/GaN 基异质结场效应晶体管上的栅极电介质
DOI：
10.3390/cryst13020231
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
2.7
通讯作者：
Ahmad, Iftikhar
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hasan, Samiul;Jewel, Mohi Uddin;Crittenden, Scott R.;Lee, Dongkyu;Avrutin, Vitaliy;Özgür, Ümit;Morkoç, Hadis;Ahmad, Iftikhar
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DOI：
10.1007/978-3-642-58562-3
发表时间：
1999
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
H. Morkoç
通讯作者：
H. Morkoç
低阈值 - 14 W/mm ZrO2/AlGaN/GaN 金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管
影响因子：
1.5
作者：
Shiva Rai;V. Adivarahan;N. Tipirneni;A. Koudymov;Jinwei Yang;G. Simin;Muhammad Asif Khan
通讯作者：
Muhammad Asif Khan
在超宽带隙 AlGaN 沟道 MOSHFET 中通过高温栅极氧化物退火进行阈值电压控制
影响因子：
2.3
作者：
Mollah, Shahab;Hussain, Kamal;Mamun, Abdullah;Alam, Md Didarul;Chandrashekhar, MVS;Simin, Grigory;Khan, Asif
通讯作者：
Khan, Asif
影响因子：
2.7
作者：
Hasan, Samiul;Mamun, Abdullah;Khan, Asif
通讯作者：
Khan, Asif
使用衬底偏置研究陷阱在 Si 上 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管断态性能中的作用的新技术
DOI：
10.1002/pssa.201900794
发表时间：
2019
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
N. Remesh;Sandeep Kumar;I. Guiney;C. Humphreys;S. Raghavan;R. Muralidharan;D. Nath
通讯作者：
D. Nath