Lithography scaling issues associated with III-V MOSFETs
Lithography scaling issues associated with III-V MOSFETs
复制标题
与 III-V MOSFET 相关的光刻缩放问题
DOI：
10.1016/j.mee.2009.11.093
复制
发表时间：
2010
影响因子：
2.3
通讯作者：
Ignatova O
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ignatova O
登录
查看更多内容
影响因子：
4
作者：
Yanqing Wu;Y. Xuan;T. Shen;P. Ye;Z. Cheng;Anthony Lochtefeld
通讯作者：
Yanqing Wu;Y. Xuan;T. Shen;P. Ye;Z. Cheng;Anthony Lochtefeld
使用栅极下沉技术提高复合沟道 HEMT 的射频和逻辑性能
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. Kuo;H. Hsu;E. Chang;Chia;Y. Miyamoto;S. Datta;M. Radosavljevic;G. Huang;Ching
通讯作者：
Ching
用于厚抗蚀剂中高深宽比沟槽图案化的电子束光刻：实验和模拟结果
DOI：
10.1117/12.656516
发表时间：
2006
期刊：
Physica D: Nonlinear Phenomena
影响因子：
--
作者：
Jianyun Zhou;S. Xiao;W. Scholz;Xiaoming Yang
通讯作者：
Xiaoming Yang
采用分子束外延生长 Al2O3/Ga2O3(Gd2O3) 作为栅极电介质的耗尽型 In0.2Ga0.8As/GaAs MOSFET
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
Cheng;T. Lin;T. Chiang;H. Chiu;P. Chang;M. Hong;J. Kwo
通讯作者：
J. Kwo
抗蚀剂残留物和晶体管栅极制造
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Macintyre;O. Ignatova;S. Thoms;I. Thayne
通讯作者：
I. Thayne