The role of carbon and C-H neutralization in MOCVD β-Ga2O3 using TMGa as precursor
The role of carbon and C-H neutralization in MOCVD β-Ga2O3 using TMGa as precursor
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使用 TMGa 作为前体的 MOCVD β-Ga2O3 中碳和 C-H 中和的作用
DOI：
10.1063/5.0153626
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发表时间：
2023
影响因子：
4
通讯作者：
Zhao, Hongping
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Meng, Lingyu;Bhuiyan, A F;Zhao, Hongping
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等离子体辅助分子束外延生长（010）β-Ga2O3薄膜的Sn掺杂
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
Akhil Mauze;Yuewei Zhang;T. Itoh;E. Ahmadi;J. Speck
通讯作者：
J. Speck
β-(AlxGa1-x)2O3/β-Ga2O3 异质结界面载流子限制的观察
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
Takayoshi Oshima;Yuji Kato;Naoto Kawano; Akito Kuramata;Shigenobu Yamakoshi; Shizuo Fujita; Toshiyuki Oishi;and Makoto Kasu;Takayoshi Oshima;橋口明広，森林朋也，大島孝仁，大石敏之，輿公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田修，嘉数誠;森林朋也，橋口明広，大島孝仁，花田賢志，大石敏之，輿公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田修，嘉数誠;加藤勇次，大島孝仁，織田真也，人羅俊実，嘉数誠;加藤勇次，大島孝仁，河野直士，倉又朗人，山腰茂伸，藤田静雄，大石敏之，嘉数誠
通讯作者：
加藤勇次，大島孝仁，河野直士，倉又朗人，山腰茂伸，藤田静雄，大石敏之，嘉数誠
通过 MOVPE 快速同质外延生长 (100) β-Ga2O3 薄膜
影响因子：
1.6
作者：
Ta;Palvan Seyidov;S. Bin Anooz;R. Grüneberg;Thi Thuy Vi Tran;K. Irmscher;M. Albrecht;Z. Galazka;J. Schwarzkopf;A. Popp
通讯作者：
A. Popp
影响因子：
6.1
作者：
Leach, J. H.;Udwary, K.;Evans, K. R.
通讯作者：
Evans, K. R.
探测 MOCVD 生长 (010) ${eta}$-Ga$_{2}$O$_{3}$ 中的电荷传输和背景掺杂
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
Zixuan Feng;A. Bhuiyan;Zhanbo Xia;Wyatt Moore;Zhaoying Chen;Joe F. Mcglone;D. Daughton;A. Arehart;S. Ringel;S. Rajan;Hongping Zhao
通讯作者：
Hongping Zhao