Extraction and modeling of layout-dependent MOSFET gate-to-source/drain fringing capacitance in 40 nm technology
Extraction and modeling of layout-dependent MOSFET gate-to-source/drain fringing capacitance in 40 nm technology
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采用 40 nm 技术对布局相关 MOSFET 栅极至源极/漏极边缘电容进行提取和建模
DOI：
10.1016/j.sse.2015.05.033
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发表时间：
2015-09
影响因子：
1.7
通讯作者：
Shi, Yanling
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chan, Mansun;Zhang, Long;Li, Xiaojin;Shi, Yanling
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影响因子：
3.1
作者：
Ren Zheng;Li Xi;Hu Shaojian;Chen Shoumian;Zhao Yuhang;Shi Yanling
通讯作者：
Ren Zheng;Li Xi;Hu Shaojian;Chen Shoumian;Zhao Yuhang;Shi Yanling
影响因子：
3.1
作者：
E. Morifuji;H. Aikawa;H. Yoshimura;A. Sakata;M. Ohta;M. Iwai;F. Matsuoka
通讯作者：
E. Morifuji;H. Aikawa;H. Yoshimura;A. Sakata;M. Ohta;M. Iwai;F. Matsuoka
DOI：
10.4028/www.scientific.net/amm.236-237.134
发表时间：
2012-11
期刊：
Applied Mechanics and Materials
影响因子：
--
作者：
Xi Li;Zheng Ren;Ming Wang;Hui Zhou;Li Jie Sun;ShaoJian Hu;Yanling Shi
通讯作者：
Xi Li;Zheng Ren;Ming Wang;Hui Zhou;Li Jie Sun;ShaoJian Hu;Yanling Shi
影响因子：
3.1
作者：
HUANG, CL;FARICELLI, JV;ARORA, ND
通讯作者：
ARORA, ND
影响因子：
4.9
作者：
Yao-Wen Chang;Hsing-Wen Chang;T. Lu;Y. King;Kuang-Chao Chen;Chih-Yuan Lu
通讯作者：
Yao-Wen Chang;Hsing-Wen Chang;T. Lu;Y. King;Kuang-Chao Chen;Chih-Yuan Lu