Performance Fluctuations in 10-nm Trigate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors: Impact of the Channel Geometry
Performance Fluctuations in 10-nm Trigate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors: Impact of the Channel Geometry
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10 nm 三栅金属氧化物半导体场效应晶体管的性能波动：通道几何形状的影响
DOI：
10.7567/jjap.52.04cc19
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发表时间：
2013
影响因子：
1.5
通讯作者：
H. Töpfer
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Granzner;F. Schwierz;S. Engert;H. Töpfer
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