Atomic layer deposition of TiN/Ru gate in InP MOSFETs
Atomic layer deposition of TiN/Ru gate in InP MOSFETs
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InP MOSFET 中 TiN/Ru 栅极的原子层沉积
DOI：
10.1063/5.0058825
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发表时间：
2021
影响因子：
4
通讯作者：
Rodwell, Mark J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tseng, Hsin-Ying;Fang, Yihao;Mitchell, William James;Taylor, Aidan Arthur;Rodwell, Mark J.
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通讯作者：
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通讯作者：
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DOI：
10.1109/tcpmt.2016.2599838
发表时间：
2016-09-01
影响因子：
2.2
作者：
Seok, Seonho
通讯作者：
Seok, Seonho